110纳米技术用于无线 将独具优势-资讯软件加密

110纳米技术用于无线 将独具优势-资讯 为了满足AMD和富士通客定西户对于无线市场的需求以及作为长远计划的一部分，FASL LLC将于2004年进一步提高其先进的SPANSION?闪存的生产能力。预计到2004年底，110纳米的128Mb等量产能将会超过该公司目前最先进的两家闪存生产厂FAB 25和JV3当前产量的80％以上。而110纳米的 128Mb等量产能计划将超过FASL LLC工厂总产能的60%。 　　FASL LLC集团滚筒支架副总裁及无线事业部总经理AMir Mashkoori说到：“高端客户要求我们拥有高产能和领先的闪存技术，以支持当前最先进的无线解决方案的需求。2004年计划增加的采用11肚兜0纳米技术的产能将支持我们先进的浮门快闪技术，尤其是要支持我们最先进的、采用110纳米工艺的第二代MirrorBit?技术。这两种技术将使我们能够为无线客户提供各种市场领先和独具竞争优势的解决方案。” 　　110纳米 MirrorBit技术的应运而生，带来专为无线市场设计的、高性能、功能全面的、1.8伏的256Mb闪存产品，从而进一步扩大了Spansion 闪存家族的规模。该产品预计将拥有高于80MHz的脉冲模式、高速访问和低功耗等特点。该产品的早期硅器件——Spansion品牌的S29WS256N，目前已完成开发，并计划在数传电台2004上半年推出样品。 　　FAS镜子L LLC CEO兼总裁Bertrand Cambou说：“早在2001年我们已决定将Fab 25由逻辑器件厂转型为专门的闪存生产厂。该厂在2002年已完成对170纳米技术的支持、今年开始支持130纳米技术， 并计划在2004年支持110纳米技术。这些技术上的不断提升和产能的增加有力地证明了当初的决定是多么富有远见。将Fab 25转为闪存生产厂后，加上JV1、JV2和JV3， FASL LLC的总产能将在2004年中翻一番，从而建立起一个强大的闪存生产能力以满足客户日益增长的业务的需求。” 　　作为闪存生产厂，Fab 25准备在2004年将晶圆产能比当年逻辑器件厂的产能提高30%，而同时在晶圆成本上减少40%以上。Fab 25的110纳米和130纳米 128Mb闪存的等效产出预计到2004年底将比上季度增加8成。 (编辑 胡杨)